De viktigaste skillnaderna mellankiselnitridsubstratoch substrat är deras definitioner, användningar och egenskaper.
Silikonnitridsubstrat:Silikonnitridsubstratär ett keramiskt material som huvudsakligen används vid tillverkning av krafthalvledarenheter, särskilt kraftmoduler. Den har hög värmeledningsförmåga, hög mekanisk hållfasthet och bra termisk matchning och är lämplig för applikationsscenarier som kräver hög tillförlitlighet och hög temperaturbeständighet. Substrat: Substrat hänvisar vanligtvis till den underliggande stödstrukturen som används för spåntillverkning. Vanliga substratmaterial inkluderar enkristallkiselskivor, SOI-substrat, SiGe-substrat, etc. Valet av substrat beror på specifika applikationskrav, såsom integrerade kretsar, mikroprocessorer, minne, etc.
Hög värmeledningsförmåga: Den termiska ledningsförmågan för kiselnitrid är så hög som 80 W/m·K eller mer, vilket är lämpligt för värmeavledningsbehoven hos enheter med hög effekt. Hög mekanisk hållfasthet: Den har hög böjhållfasthet och hög brottseghet, vilket säkerställer dess höga tillförlitlighet. Matchning av termisk expansionskoefficient : Det är mycket likt SiC-kristallsubstratet, vilket säkerställer en stabil matchning mellan de två och förbättrar den övergripande tillförlitligheten.
Substrat
Olika typer: Inklusive enkristallkiselskivor, SOI-substrat, SiGe-substrat, etc., har varje substratmaterial sitt specifika användningsområde och prestandafördelar.
Brett användningsområde : Används för att tillverka olika typer av chips och enheter, såsom integrerade kretsar, mikroprocessorer, minne, etc. .
Kiselnitridsubstrat : Används främst för högeffektsenheter inom områden som nya energifordon och moderna transportbanor. På grund av sin utmärkta värmeavledningsprestanda, mekaniska styrka och stabilitet är den lämplig för höga tillförlitlighetskrav i komplexa miljöer.
Substrat: Används i stor utsträckning vid olika spåntillverkning, och den specifika applikationen beror på typen av substrat. Till exempel används kiselskivor med enkristall i stor utsträckning vid tillverkning av integrerade kretsar och mikroprocessorer, SOI-substrat är lämpliga för högpresterande, lågeffekts integrerade kretsar, och SiGe-substrat används för heterojunction bipolära transistorer och blandade signalkretsar, etc. .